1. 概述
自 2016 年以来，美国对华半导体政策逐步恶化。从奥巴马第二任期后期的开始警 惕，到特朗普第一任期全面高强度打压，再到拜登任期的精准遏制，美国半导体 制裁手段不断升级且形式多样，冲击我国半导体产业健康发展。我国政府在各阶 段积极应对，持续出台系列政策并加大资金投入推动产业自主发展与创新，提升 竞争力。当前我国半导体产业国产化率正逐步提升，但在先进制程相关关键软件、 设备、材料和零部件等领域仍存大量环节亟待国产化突破。展望特朗普第二任期， 预计其对华半导体制裁力度将进一步增强且部分政策或较拜登政府出现明显调整。 面对新的挑战，中国半导体产业突围需政企合力。国家从宏观强化战略引力和政 策支持筑牢根基，企业于微观在研发、投资等维度积极作为。从长期看，无论美 国对华半导体政策如何改变，都难以阻挡中国半导体自主可控的步伐，中国半导 体产业链将在挑战与机遇并存的新阶段不断发展壮大。
1.1. 美国半导体制裁措施和中国产业政策分阶段整理
自奥巴马第二任期后期以来（2016 年-2017 年初），美国在科技领域对华态度由 “合作”向“遏制”转变，开始警惕并限制中国半导体产业崛起，并采取一定限 制性措施。如对中国企业在美开展投资贸易活动有所限制、以“国家安全”为由 将中兴通讯等中国企业列入实体清单，提出反击中国产业政策等三项重点策略建 议。奥巴马第二任期美国对华半导体制裁措施相对有限，但为后续特朗普政府推 出更严厉的对华半导体产业制裁提供了基础。 这一时期，中国政府重视半导体产业发展，出台一系列发展纲要，通过政策引导 和资金支持，推动产业自主发展和技术创新：如《国家集成电路产业发展推进纲 要》、《中国制造 2025》、《“十三五”规划》等文件高度重视半导体产业发展，设立 国家集成电路产业投资基金为产业发展提供重要资金保障等，为我国半导体产业 的发展奠定了坚实基础，推动半导体产业规模的扩大和技术水平的提升。
特朗普第一任期（2017 年-2021 年初），美国对华半导体态度显著恶化，综合运用 定向制裁、高额关税、出口管制、清单制裁、投资审查等多种手段对华半导体产 业进行全方位、高强度打压。一方面，特朗普政府将华为列为重点制裁对象，严格限制其获取美国技术和产品，对华加征高额关税，制裁力度大。另一方面，从 贸易、技术、资本、人才等多方面进行施压，制裁维度广，给中国半导体企业带 来巨大的经营压力和挑战。 这一时期，中国持续优化产业政策环境，全方位推动产业自主创新和高质量发展， 增强产业竞争力和抗风险能力。《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展 的若干政策》涵盖财税、投融资、研究开发、进出口、人才、知识产权、市场应 用、国际合作等多个领域，为支持集成电路产业提供全方位政策指引。同时，加 大财政支持力度，国家大基金二期成立，引导社会资本投入半导体产业，为晶圆 制造、集成电路设计工具、芯片设计、封装测试等多个产业链环节提供资金支持。 这些措施进一步为中国半导体产业的发展提供良好的政策环境和资金支持，有助 于积极应对国际形势变化，增强产业的自主创新能力和发展韧性。
拜登任期（2021 年-2025 年初），美国延续对华半导体竞争大趋势，采用更为精准 的“小院高墙”的制裁策略，格外重视产业联盟和财政补贴两大方式。一方面， 拜登政府继续延用特朗普政府加征关税、收紧出口管制、制裁相关实体、设立投 资审查壁垒等手段。另一方面，着重加大财政补贴力度、积极拉拢全球半导体产 业链重要盟友国家组建产业联盟，试图维持美国半导体供应链安全，捍卫其价值 链主导地位，进一步打压中国半导体产业尤其是先进制程的发展。 这一时期，中国政府进一步强化战略引领和顶层设计，聚焦前沿技术领域，推动 集成电路等战略性新兴产业技术在新兴领域的应用和创新，着力提升半导体等前 沿领域的核心竞争力。《“十四五”规划》明确提出要瞄准人工智能、量子信息、 集成电路等前沿领域，实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目，《关于 推动未来产业创新发展的实施意见》也指出将未来制造、未来信息、未来材料、 未来能源、未来空间和未来健康作为六大重点推进方向，为发展先进半导体材料、 GPU 芯片等新材料和核心器件提供政策指引。成立大基金三期，聚焦半导体产业 研发创新、推动关键技术的突破、为科技产业长期升级提供长期资本、耐心资本 支持。这些政策措施为我国半导体产业的高质量发展提供有力支撑，推动产业迈 向更高发展水平。
1.2. 特朗普后续制裁政策预测及中国对策建议
结合特朗普第一任期对华半导体制裁政策风格和在本次美国大选期间的公开言 论，特朗普二次上台后对华半导体制裁力度预计会进一步升级。
整体政策方面，无论是特朗普第一任期还是拜登执政时期，美国对华半导体 产业均保持严厉制裁态度。拜登政府实施“小院高墙”策略，在延续上任政 府出口管制、清单制裁、限制投资等制裁措施的基础上，制裁措施更精准， 力度更大。特朗普第一任期尤其注重运用“大棒”手段，严格抑制中国半导 体产业发展，其第二任期对华半导体产业可能会施加更大压力。
出口管制方面，特朗普第一任期即多次修订《出口管制条例》，加强对华半导 体出口管制。特朗普一贯对华强硬态度预示他可能会继续加强对华出口管制， 甚至可能会比拜登政府针对性限制中国获得先进计算集成电路、开发和维护 超级计算机以及制造先进半导体能力的政策更加激进。如进一步扩大受限物 项的范围，将更多半导体相关技术和设备纳入管制清单；进一步加强对中国 企业的审查和监管，提高出口许可的门槛和难度等。
清单制裁方面，特朗普政府和拜登政府均频繁使用清单制裁，将多家中国半 导体企业列入实体清单等制裁清单。拜登政府近期已将多家中国半导体相关 公司列入实体清单，包括半导体设备制造企业、半导体制造企业等，特朗普 上台后可能会在此基础上进一步扩大对华半导体企业的清单制裁范围，将更 多中国半导体产业链上下游企业纳入实体清单，芯片设计、制造、封装测试、 设备制造、材料供应等各个环节的企业都面临被制裁的风险。同时，特朗普 政府可能会加强对已列入实体清单企业的监管和执法力度，利用“长臂管辖”， 严格限制其与美国及其盟友企业的业务往来，进一步削弱中国半导体产业的 国际供应链和市场竞争力。
限制投资与合作方面，如特朗普在本次在竞选期间曾表示将阻止美国公司在 华投资并阻止中国购买部分美国资产，只允许符合美国利益的投资。预计特朗普正式上台后将进一步收紧对华半导体投资限制，并增加产业学术合作的 限制和审查监管。
对比拜登政府对华半导体政策，特朗普政府较拜登政府在关税、产业联盟和财政 补贴三方面施政风格差异大，预计特朗普再次上台后美国对华半导体制裁政策可 能于以下具体三方面出现变化。
关税方面，与拜登政府基本保留了上任政府关税水平、仅对部分商品加征25% 关税相比，特朗普第一任期对中国多种商品全面加征多轮高关税，与奥巴马 政府政策差别较大。在本次竞选期间特朗普也多次提及将对进口自中国的所 有商品征收关税。特朗普再次上台后，对华高关税或将重演，中国半导体相 关产品存在被进一步加征关税的风险。
产业联盟方面，特朗普第一任期在产业联盟层面行动相比拜登执政时期更少， 特朗普在本次竞选期间虽未提及相关产业联盟设想，但其“美国优先”政策 理念依旧明确，预计特朗普再次上台后在限制中国半导体产业的政策中或会 弱化与盟友的合作，更多运用单边行动，而不依赖于复杂的多边联盟机制， 用高关税等威胁手段强迫部分国家加强对华半导体出口管制的形式实现对华 半导体制裁目的。
财政补贴方面，特朗普第一任期相对弱化政府对科技创新的干预，对华半导 体制裁措施以外部抑制政策为主，较拜登政府在财政补贴上力度较小。在本 次竞选期间，特朗普批评拜登政府的《芯片法案》，认为应使用关税而非补贴 来说服台积电等公司在美投资，减少对补贴的依赖。因此预计特朗普上台后 可能会延缓《芯片法案》执行进程，转而依赖高关税政策等威胁手段来“吸 引”外资和促进本土半导体产业发展。
面对美国对华半导体制裁的压力以及特朗普第二任期带来的政策不确定性，中国 半导体产业亟需政企合力破局。
在宏观层面，国家应持续发挥引领作用，通过一系列政策筑牢产业根基：（1） 政策坚守半导体产业关键地位，持续强化顶层设计，加大政策引导和支持力 度；（2）依据半导体产业特点进行分级分类发展规划，精准配置资源，提升 产业治理效能；（3）推动技术攻坚与产业协同，依托举国体制聚焦前沿、突 破关键技术、打造产业集群，强化国际竞争力；（4）鼓励原创性、颠覆性科 技创新，以科技创新催生新产业、新模式、新动能；（5）培育耐心资本，壮 大资金实力，拓宽投资渠道，支持龙头企业成长；（6）把握国际形势与开放 合作，优化外商投资环境，吸引国际企业融入，提升产业抗风险能力。
在微观层面，企业应：（1）稳固成熟制程，提升其工艺、效率与良品率，凭 借国内广泛市场基础，高效释放产能，缓解先进制程受限困境；（2）强化市 场聚焦，找准细分赛道，如各领域企业发挥特色工艺、产品全面覆盖、创新 服务等差异化优势突围竞争；（3）加大研发投入推动技术创新，强化自主可 控，降低海外依赖；（4）深化产业链协同与跨界合作，整合资源；（5）通过 并购整合实现规模扩张与技术升级；（6）把握国际合作机遇，拓展海外营收。
2. 美国对华半导体制裁政策全梳理
自奥巴马第二任期以来，中美两国在半导体领域竞争逐渐明显，特朗普政府和拜 登政府对华半导体制裁态度一致，尽管在部分制裁手段上存在分歧，但美国对华 半导体制裁手段整体呈现多元化和日益强硬的趋势。奥巴马执政后期，中美科技 在合作中竞争；特朗普第一任期和拜登任期，中美半导体领域总体上呈现竞争态 势。特朗普政府在对华关税战、贸易战等全面竞争中，将中美半导体竞争推向高 潮；拜登政府在特朗普政府的基础上，更加注重对华半导体制裁的精准性。特朗 普在 2024 美国大选期间与中美半导体竞争有关的宣言，与其第一任期相比更加激 进，其二次上台后对中国半导体产业制裁预计仍将持续。
2.1. 奥巴马政府对华合作中限制，半导体领域矛盾开始显现
在奥巴马第二任期执政后期，随着中国综合实力的提升，中美科技竞争力差距减 小，中美科技领域矛盾开始凸显，美国对华科技政策开始向遏制倾斜。从中美建 交至特朗普政府上台之前，中美在科技领域总体处于合作关系。随着中国加入世 贸组织，中美民间领科技合作日益密切，推动政府层面合作。奥巴马第二任期警 惕中国企业在美开展投资贸易活动，以国家安全为由将中兴通讯等中国企业列入 “实体清单”，发布《确保美国半导体的长期领导地位》报告并提出反击中国产业 政策等三项重点策略建议。奥巴马政府对华半导体相关的限制政策具体有：
2012 年 10 月 8 日，美国国会众议院情报委员会发表调查报告称，中国华为 技术有限公司和中兴通讯股份有限公司对美国国家安全构成威胁，建议阻止 这两家企业在美开展投资贸易活动。
2016 年 12 月 2 日，美国财政部发表声明，基于美国外国投资委员会（CFIUS） 评估，总统奥巴马发布行政令，以美国国家安全为由禁止中国福建宏芯投资 基金下属的德国投资公司 Grand Chip Investment GmbH（宏芯投资）收购德 国半导体公司爱思强（Axitron SE）及其美国分支机构。
2016 年 3 月 7 日，美国商务部将中兴通讯等公司列入“实体清单”，认为其“违 反了美国国家安全和外交政策利益”，实行出口限制。
2017 年 1 月 6 日，奥巴马政府总统科技咨询委员会（PCAST）发表题为《确 保美国半导体的长期领导地位》的报告指出，美国半导体产业的竞争力和利 益受到中国政府半导体产业扶持政策威胁，建议美国应反击中国产业政策、 改善美国半导体制造企业的商业环境、对半导体重要关键技术的研发予以扶 持。
2.2. 特朗普第一任期对华政策显著扭转，对华半导体制裁力度急速提升
特朗普政府上台后，美国对华政策发生扭转，对华发起关税战、贸易战，两国科 技关系呈明显竞争态势。自 2017 年底特朗普政府发布新版《国家安全战略》后， 美国政府明显干预中美科技合作。在半导体领域，特朗普政府综合运用定向制裁、 高额关税、出口管制、清单制裁、投资审查等多种打压政策，对中美产品、技术、 资金、人才等要素自由流动设置重重障碍。 2018 年，特朗普授权美国贸易代表办公室开展“301 调查”，根据调查结果（《301 报告》），对中国商品开启多轮加征关税，发布出口管制实体清单并加强新兴技术 出口管制，加强对华投资审查。特朗普政府于 2018 年 7 月 6 日、8 月 23 日分别 对 340 亿、160 亿美元中国进口商品加征 25%关税，于当年 9 月 24 日对 2000 亿 美元中国进口商品加征 10%关税；将福建晋华等多家中国企业列入实体清单，发 布 14 类新兴技术拟定清单；加强外国投资委员会权力；通过《2019 财年国防授 权法案》禁止联邦政府与任何使用华为或中兴公司设备及服务的机构签订或延续 合同；定点制裁中兴通讯。
2018 年 3 月 23 日，美国贸易代表办公室（USTR）发布《基于 1974 年贸易 法 301 条款对中国关于技术转移，知识产权和创新的相关法律，政策和实践 的调查结果》（《301 报告》）。调查结果认为，中国政府有关技术转让、知识 产权和创新的法律、政策和做法是不合理的或具有歧视性，且给美国商业造 成负担或限制。美国总统特朗普以应对中国对美国不平等和有害的技术兼并 为由，决定采取措施：通过世界贸易组织对华发起挑战，签署总统备忘录指 示在 15 天之内制定对中国商品关税征收方案，限制涉及敏感技术收购的投 资。
2018 年 4 月 16 日，美国商务部工业与安全局（BIS）以中兴通讯对涉及历史 出口管制违规行为的某些员工未及时扣减奖金和发出承接信，并在 2016 年 11 月 30 日和 2017 年 7 月 20 日提交给美国政府的两份函件中对此做了虚假 陈述为由，宣布立即重启对中兴通讯的制裁禁令，下令拒绝中兴通讯的出口 特权，禁止美国公司向中兴通讯出口电讯零部件产品，期限 7 年；并处以 3 亿美元罚款，视其未来 7 年执行协议的情况，可暂缓支付。
2018 年 7 月 6 日，美国对包括半导体产品在内的约 340 亿美元的中国进口商 品开始加征 25%关税。
2018 年 8 月 1 日，联邦公报公布了美国商务部工业与安全局以国家安全和外 交利益为由，将 44 家中国企业列入出口管制实体清单，实施技术封锁，所涉 单位多为我国半导体高端技术研发机构。
2018 年 8 月 13 日，美国总统特朗普签署了参议院和众议院通过的《2019 财 年国防授权法案》，具体举措包括进一步强化美国外资投资委员会的权力，维 护国家安全；禁止联邦政府与任何使用华为或中兴公司设备及服务的机构签 订或延续合同等。
2018 年 8 月 23 日，美国对第一轮剩余 160 亿美元中国商品加征 25%关税清 单，最终关税清单涵盖包括中国产半导体在内的 279 种进口产品。
2018 年 9 月 24 日，美国对 2000 亿美元中国商品加征 10%的进口关税。
2018 年 10 月 10 日，美国财政部发布 FIRRMA 框架下的实施法规性质的“试 验性计划”，以准备 FIRRMA 部分尚未生效条款的实施，对外国投资于美国 某些具体产业和技术做出更严格和具体的限制，于 2018 年 11 月 10 日起施 行。
2018 年 10 月 29 日，美国商务部以违反美国国家利益为由，宣布将限制美国 企业对福建晋华集成电路有限公司出口任何产品，并将其列入实体清单。
2018 年 11 月 19 日，美国商务部工业与安全局提出“特定新兴技术管制审查” 框架方案，欲对生物技术、人工智能与机器学习等 14 个新兴技术领域加强出 口管制。
2.3. 拜登政府延续对华竞争大趋势，多方位精准限制中国半导体产业
拜登政府将对华科技竞争上升到对华战略竞争的核心地位，整体上延续上任特朗 普政府对华半导体竞争大趋势，调整制定了更为精准的限制政策，更加重视运用 产业联盟、财政补贴等方式。拜登政府基本保持特朗普第一任期关税水平，针对 关键产品进一步加征关税。除继续延用特朗普政府加强出口管制、制裁相关实体、 设立投资审查机制等制裁手段之外，拜登政府更加重视加大补贴、产业联盟的方 式，维护美国半导体供应链安全和价值链地位，进一步打压中国半导体产业发展。 2021 年，拜登政府在利用清单强化对中国半导体企业的出口管制和投资限制的基 础上，开始重视对国内半导体等高科技领域的投资和扶持，并建立联盟加强半导 体等领域相关合作。拜登政府持续扩大实体清单、非特别制定国民中国军工复合 企业清单（Non-SDN Chinese Military-Industrial Complex Companies List，NS-CMIC）、 不可信供应商名单等中国企业数量。拜登政府提出设立基金支持美国半导体研发 和生产，美国参议会通过《无尽前沿法案》和《2021 年美国创新与竞争法案》，围 绕半导体、5G 等数字技术开展对华科技遏制和竞争，提供资金支持美国半导体研 发和生产，同时限制与中国的科技往来。2021 年 6 月，美国和欧盟成立贸易和技 术委员会（Trade and Technology Council，TTC)，加强合作并联合应对所谓来自中 国的“经济胁迫”；2021 年 9 月，美国、日本、澳大利亚和印度四边安全对话机制 举行首次面对面峰会，增强包括半导体在内的关键技术和材料的供应链韧性，减 少对中国的供应链依赖。
2021 年 3 月 12 日，美国联邦通信委员会（FCC）将华为、中兴通讯、海康威 视、海能达通信、大华科技纳入不可信供应商名单，五家企业生产的部分通 信产品和服务将在美国境内被拆除。
2021 年 4 月 12 日，美国总统拜登召集福特、英特尔、三星等 19 家相关大型 企业负责人举行半导体大会，并提出在芯片产业投入 500 亿美元来重振美国 芯片制造。
2021 年 5 月 12 日，美国参议院通过《无尽前沿法案》，提出要巩固美国在关 键科技领域的领导地位，集中发展人工智能与机器学习，高性能计算、半导 体和先进计算机硬件，量子计算和信息系统，先进通信技技术等十大核心领 域，拟在 5 年内为美国基础和先进技术研究提供超过 1000 亿美元的资金支 持。
2021 年 6 月 3 日，拜登签署第 14032 号行政令，以应对“中国军工企业威 胁”为由，将华为公司等 59 家企业列入非特别制定国民中国军工复合企业清 单，禁止“美国人”与名单所列公司进行投资交易。
2021年6月8 日，美国参议院通过了《2021 年美国创新与竞争法案》（USICA）， 该法案以《无尽前沿法案》为基础，整合此前多个相关法案，旨在围绕半导 体、5G 等数字技术开展对华科技遏制和竞争，提供资金支持美国半导体研发 和生产，同时限制与中国的科技往来。《法案》包括“芯片与 O-RAN 5G 紧急 拨款”、《无尽前沿法案》、《2021 年战略竞争法案》、《国土安全和政府事务委 员会相关条款》、《2021 年迎接中国挑战法案》、“其他事项”和《2021 年贸易 法案》七个部分。尽管该法案在参议院通过，但随后被众议院搁置。
2021 年 6 月，美国和欧盟成立贸易和技术委员会（Trade and Technology Council，TTC)，加强在信息通信技术、人工智能技术和清洁技术等领域的技 术合作，和在半导体信息透明等方面的标准联合，同时联合应对所谓来自中 国的经济胁迫。在首次部长级会议的联合声明中，双方决定下设十个工作组， 其中包括为应对中国挑战设立的出口管制合作工作组、投资审查合作工作组 等。
2021 年 9 月 24 日，美国、日本、澳大利亚和印度四边安全对话机制（The Quadrilateral Security Dialogue，QUAD）举行首次面对面峰会，增强包括半导 体在内的关键技术和材料的供应链韧性。QUAD 综合利用美国在芯片设计领 域、日本在芯片制造材料和化学品、澳大利亚在丰富关键材料和先进采矿能 力、印度人力资本等互补优势，减少供应链依赖。
2021 年 11 月 24 日，美国商务部工业与安全局将包括杭州中科微电子有限公 司、新华三半导体技术有限公司、苏州云芯微电子科技有限公司等与芯片相 关的企业在内的 12 家中国公司加入实体清单。
2.4. 特朗普重返“美国优先”，竞选言论对华制裁态度强硬
特朗普携贸易保护主义归来，对华半导体制裁手段或更为强硬。特朗普奉行“美 国优先”，其在竞选期间宣称将对所有国家进口商品征收 10%关税，对中国进口商 品征收至少 60%关税，撤销中国最惠国待遇；批评拜登政府时期《芯片法案》，认 为应用关税促使半导体企业在美投资；拟制定新规限制中美投资。
2023 年 12 月中下旬，特朗普在新罕布什尔州达勒姆的集会上称，将采取一 系列改革以在所有关键领域彻底消除对中国的依赖，包括逐步停止从中国进 口电子产品、钢铁、药品等一切必需品，并制定新规禁止美国公司在中国投 资、禁止中国人购买美国资产。
2023 年 7 月 16 日，特朗普在接受《彭博商业周刊》专访时称，中国台湾地 区“抢走了”美国全部芯片业务，并认为中国台湾地区应该向美国支付“防 务费用”。
2024 年 2 月 4 日，特朗普接受美国福克斯新闻采访时称，将对所有中国商品 征收至少 60%的关税。
2024 年 10 月 25 日，特朗普接受 Joe Rogan Podcast 采访时对《芯片法案》提 出批评，表示可以利用关税而不是补贴来说服台积电等公司在美国本土建设 和扩大芯片制造设施。
2024 年 7 月 8 日，共和党纲领委员会批准了 2024 年党纲草案，草案第五章 指出将支持对外国制造商品征收基线关税，通过特朗普互惠贸易法案，并应 对“不公平的贸易行为”；确保从中国获得战略独立，撤销中国最惠国待遇， 逐步停止必需品进口，并阻止中国投资美国房地产和工业。
3. 抑它：从“全面脱钩”到“小院高墙”，美国多措并举企图 削弱中国半导体发展
近年美国半导体产业战略可分为“抑它”和“利己”两个维度，其中抑它主要为 对华出台一系列从“全面脱钩”到“小院高墙”的抑制政策。美国政府通过运用 定点打击、高额关税、出口管制、清单制裁、限制投资、产业联盟等多种手段全 方位限制中国半导体产业发展，试图削弱中国在全球半导体产业链中的地位，维 护其自身的科技霸权和产业优势。
3.1. 定点打击：制裁华为等中国头部科技企业，严厉限制中国技术进步
美国政府自 2018 年起将华为等中国头部科技企业列为重点制裁对象，从禁止联 邦政府采购、限制产品技术出口、禁止投资交易等多方面持续打压华为。 2018 年 8 月，特朗普签署《2019 财年国防授权法案》，明确禁止美国政府部门使 用华为产品，开启了对华为封锁。随后，美国商务部工业与安全局（BIS）多次将 华为及其关联公司列入实体清单，实施严格的出口限制。例如，2019 年 5 月 BIS 宣布将华为及其关联公司列入实体清单，要求美国供应商向华为出售或转让产品 或技术需申请许可证，此后又多次延长华为临时许可到期日，但同时不断收紧对 华为的限制措施。2020 年 5 月 15 日，BIS 扩大使用《出口管制条例》下的“外国 直接产品规则”，限制华为获得来源于美国境外利用美国特定技术和软件生产的半 导体产品，进一步切断华为的芯片供应渠道。同年 8 月，BIS 进一步修订规则， 将更多华为关联实体列入清单，使华为面临更严峻的技术封锁。这些措施层层加 码，导致华为芯片供应受限，麒麟系列芯片等先进技术研发和生产受阻，严重影 响了华为在全球通信市场的竞争力，也对中国半导体产业的技术创新和发展造成 了巨大冲击。 拜登政府上台后，延续了对华为的制裁政策，并进一步扩大了制裁范围。2021 年 拜登签署行政令，将华为等 59 家企业列入非特别制定国民中国军工复合企业清单 （NS - CMIC），禁止“美国人”与名单所列公司进行投资交易。同时，美国联邦 通信委员会（FCC）将华为等五家中国企业列入不可信供应商名单，限制其在美 国电信网络中的设备和服务。此后，FCC 又多次发布文件，禁止华为等企业的通 信与摄像设备在美国销售，进一步压缩了华为在美国市场的生存空间。这些措施 不仅针对华为的通信业务，还延伸到投资、供应链等多个领域，旨在全方位遏制 华为的发展，进而削弱中国半导体产业的整体实力。
3.2. 高额关税：先后加征多轮关税，但对中国半导体相关产品对美出口 份额影响有限
中美贸易战爆发以来，美国依据《1974 年贸易法》第 301 条先后对中国商品加征 多轮关税，其中涉及半导体相关产品的关税措施对中国半导体产业出口产生了一 定影响，但整体影响有限。
3.2.1. 特朗普第一任期先后加征多轮关税，对华开展大规模贸易战
特朗普政府自 2018 年初以来，特朗普政府依据《1974 年贸易法》第 201 条、《1962 年贸易扩张法》第 232 条和《1974 年贸易法》第 301 条对进口商品加征关税，其 中 301 关税对中国的冲击最大。2018 年 6 月至 2019 年 12 月，特朗普政府对华大 规模加征四轮 301 关税，涉及中国共计 5500 亿美元的进口商品，半导体产品也在 其中。关税清单范围从高端制造业逐步扩大至其他行业，税率不断调整。这些关 税措施导致中国对美出口半导体相关产品的成本增加，企业面临价格压力，部分 企业订单减少，出口份额有所下降。 美国贸易代表办公室（United States Trade Representative, “USTR”）于 2017 年 8 月至 2018 年 3 月期间先后通过对中国发起“301 调查”、发布调查报告认定“中 国不公平贸易行为”，为特朗普政府出台对华打压性高关税措施提供依据。《1974 年贸易法》第301条款授权USTR调查和采取行动以应对其他国家违反贸易协定、 实施歧视性政策或对美国企业造成不合理负担等不公平贸易行为。2017 年 8 月 14 日，美国总统特朗普签署行政备忘录，授权美国贸易代表莱特希泽审查所谓的“中 国不公平贸易行为”，尤其针对中国在技术转让等知识产权领域的做法，正式对中 国发起 301 条款调查。2018 年 3 月 23 日，USTR 发布《基于 1974 年贸易法 301 条款对中国关于技术转移，知识产权和创新的相关法律，政策和实践的调查结果》 （《301 报告》）。《301 报告》认为，中国政府有关技术转让、知识产权和创新的法 律、政策和做法是不合理的或具有歧视性，且给美国商业造成负担或限制。美国 总统特朗普以应对中国对美国不平等和有害的技术兼并为由，决定签署总统备忘 录指示在 15 天之内制定对中国商品关税征收方案。
3.2.2. 拜登政府基本保留 301 关税水平，对科技竞争关键商品加征关税
拜登政府基本延续上任特朗普政府关税水平，对半导体等关键商品加征关税。 2024 年 5 月 14 日，USTR 公布对 301 条款关税的 4 年期复审报告，建议在当前 4 份 301 关税清单的基础上新增或提高额外 180 亿美元的中国进口产品关税。2024 年 9 月 13 日，拜登政府公布最终加征关税产品清单，宣布增加对中国 7 个行业 14 类产品的 301 关税，将于 2024 年 9 月 27 日、2025 年初和 2026 年初分阶段执 行。其中对半导体加征 25%关税将于 2025 年 1 月 1 日起生效。
2024 年 5 月 14 日，美国贸易代表办公室公布了对华知识产权 301 调查下的 “301 行动四年复审报告”，宣布将在原有对华 301 关税的基础上，增加对中 国 14 类产品的 301 关税。主要集中在钢铁和铝，半导体，电动汽车，锂离子 电池、电池零部件和关键矿物，太阳能电池、港口起重机和医疗产品 7 个行 业，涉及中国进口商品价值约 186 亿美元。
2024 年 9 月 13 日，美国贸易代表办公室宣布美对华加征 301 关税四年期复 审最终修订结果，在继续加征中国进口的电动汽车、锂电池、光伏电池、关 键矿产、半导体以及钢铝、港口起重机、个人防护装备等产品关税的基础上， 提高对口罩等产品加征关税税率，同时提出拟将钨、晶片和多晶硅产品纳入 加征关税产品范围。最终决定将分步于 2024 年 9 月 27 日、2025 年初和 2026 年初执行。其中将于 2025 年 1 月 1 日起对半导体加征 25%关税。
3.2.3. 特朗普本次大选期间频繁发表加征关税言论，半导体贸易冲突或再升级
特朗普在 2024 美国大选时多次宣称将对中国等国征收高额关税，再挥“关税大 棒”。2024 年 2 月 4 日，特朗普接受美国福克斯新闻采访，扬言若赢得大选将对 所有中国商品征收至少 60%的关税。2024 年 11 月 25 日，特朗普称由于麻醉品等 非法毒品的涌入，将对进口自中国的所有商品征收 10%的关税。
3.2.4. 加征关税将减少中国集成电路对美出口份额，但对中国半导体出口总额影 响有限
美国加征关税使中国对美出口集成电路和二极管及类似半导体器件份额减少，尽 管美国不断调整关税政策，但中国半导体器件出口对美国市场的依赖度不大，实 际影响有限。中国香港、中国台湾和韩国等国家和地区是中国大陆集成电路的主 要出口市场，2023 年中国大陆向这些国家和地区的出口占比约 70%，而美国仅占 1.71%，表明中国半导体产业出口对美国市场的依赖度相对有限。2023 年我国累 计向美国出口二极管及类似半导体器件 63 亿元，占 2023 年二极管及类似半导体 器件出口总额的 1.51%。从 2017 年至 2023 年，我国向美国出口集成电路和二极 管及类似半导体器件的比重分别下降 1.05%和 6.54%，中国二极管及类似半导体 器件对美国出口份额大幅下降，集成电路下降幅度不大。 集成电路是我国重要的出口品类之一。2017 年以来中国集成电路出口额和占当年 出口总额的比重均呈上升趋势，二极管及类似半导体器件增幅较小，2023 年以来 出口额和出口份额有所下降。海关总署数据显示，2023 年我国累计出口集成电路 9568 亿元，2024 年 1-11 月，我国累计出口集成电路 1.03 万亿元，首次突破万亿 元，同比增长 20.3%。2023 年我国累计出口二极管及类似半导体器件 4211 亿元， 2024 年 1-10 月，我国累计出口二极管及类似半导体器件 4211 亿元。
3.3. 出口管制：多次修订《出口管制条例》，持续加大对华物项出口管制 力度
美国对华半导体出口管制逐步收紧并趋于精细化，从对个别企业的极限打压走向 全产业链管控。特朗普第一任期两度修订外国直接产品规则限制，降低“长臂管 辖”使用门槛，加强对实体清单中列出且带有脚注 1 标注实体（即华为公司）的 出口管制，同时逐渐将美国对华半导体出口管制范围从硬件、软件扩大到技术领 域。拜登政府三次修订先进计算物项、超级计算机和半导体制造物项出口管制临 时最终规则，重点限制中国先进半导体能力。
3.3.1. 特朗普政府两度修订“外国直接产品规则”，限制对华出口半导体软硬件和 技术
特朗普第一任期以华为为重点打击对象，持续升级对华半导体出口管制，管制范 围从硬件、软件扩大到技术。2018 年 8 月 13 日，特朗普签署《2019 财年国防授 权法案》，通过《2018 年出口管制改革法案》，允许美国商务部工业与安全局（BIS） 按需更新管制条例实体清单对中国芯片企业实施出口管制，为后续对华出口管制 政策提供了法律基础。同年，BIS 提出特定新兴技术管制审查框架方案，开始加 强对新兴技术领域的出口管制。2020 年 4 月 28 日，BIS 修订《出口管制条例》以 加强向中国出口军民两用物项的管制，于同年 5 月 5 日和 8 月 17 日针对华为两 次修改外国直接产品规则，只要外国生产直接产品属于或生产过程中用到了 16 类 ECCN 代码的技术或软件的直接产品且最终该等产品直接或间接提供给华为或者 经手华为，均需要事先申请许可，进一步限制华为进入美国技术领域。同年 10 月 5 日，BIS 将六种技术列入商务管制清单。 2018 年 8 月 13 日，特朗普签署《2019 财年国防授权法案》，通过《2018 年出口 管制改革法案》，为现行两用物项出口管制规则提供永久的立法基础，同时扩大美 国出口管制法的适用范围，特别增加了对美国的新兴和基础技术的出口控制，允 许美国商务部工业与安全局按需更新管制条例实体清单对中国芯片企业实施出口 管制。 2018 年 11 月 19 日，BIS 基于《2018 年出口管制改革法案》，提出特定新兴技术 管制审查框架方案，欲对生物技术、人工智能与机器学习等 14 个新兴技术领域加 强出口管制，并将面向公众进行为期一个月的意见征询。 2020 年 4 月 28 日，BIS 修订《出口管制条例》以加强向中国出口军民两用物项的 管制，取消了民用许可证豁免（License Exception Civil End Users，CIV），修订 EAR 第 744.21 条提高军事最终用途和军事最终用户出口、再出口及国内转移的许可证 要求，相关物项涉及半导体、民航、电信、光学及其他技术领域。
针对中国等 D:1 类国家取消民用许可证豁免，大量美国半导体相关产品与技 术需要申请许可证方可向中国出口，BIS 将根据 EAR 第 742.4(b)条的规定（即 NS 管控）进行更严格的许可证审查。
发布《扩大对向中国、俄罗斯及委内瑞拉的军事最终用途或最终用户产品的 出口、再出口和国内转移的出口管制》，修改 EAR 第 744.21 条规定，进一步 提高了针对军事最终用途（Military End Use）或军事最终用户（Military End User）出口、再出口及国内转移的许可证要求。新增对中国“涉及用户”的 管控；严格对中国等军事最终用途或军事最终用户出口、再出口及国内转移 的许可证审查标准，由“个案分析”调整为“推定拒绝”；扩大最终军事用途 的定义；扩大军用管控物范围，新增一系列 ECCN 编码，涉及的行业和物项 覆盖电子、电信、信息安全、通信测试设备、传感器、激光以及推进器等。
2020 年 5 月 15 日，BIS 修改 EAR 下的“外国直接产品规则（Direct Product Rule）”， 禁止外国公司把利用源自美国的十六类技术、软件在美国境外为华为及其部分子 公司设计、开发和生产半导体。十六类技术和软件主要用于开发、设计、制造芯 片及生产芯片的设备。
2020 年 8 月 17 日，BIS 补充修订 2020 年 5 月 15 日更新的《出口管制条例》，进 一步修订外国直接产品规则，扩大管制范围。BIS 将适用前提由“知悉外国制造 的产品将提供给华为实体”，修改为“知悉外国制造的产品将会被并入，或将会被 用于生产或开发任何华为所生产、购买、订购的任何零件、部件及设备”或者“知 悉外国制造的产品的交易涉及华为，例如华为是该产品的购买者、中间收货人、 最终收货人或最终用户的情形”。即海外代工厂生产的非华为定制产品（如通用产 品）虽不受 2020 年 5 月 15 日修订规则管制，但新修订后便受外国直接产品规则 管辖，这进一步限制了华为与其供应链上游企业合作。 2020 年 10 月 5 日，BIS 将六种技术列入商务管制清单，包括混合增材制造（AM） /计算机数控（CNC）工具、设计用于制造极紫外（EUV）掩模的计算光刻软件、 用于 5 纳米生产的晶圆精加工技术、可规避计算机（或通信设备）上的身份验证 或授权控制并提取原始数据的数字取证工具、用于监视和分析的通过切换接口从 电信服务提供商处获取的通信和元数据的软件、亚轨道飞行器。
3.3.2. 拜登政府不断修补政策“漏洞”，重点限制中国先进半导体能力
拜登政府不断修补《出口管制条例》政策“漏洞”，重点限制中国先进半导体能力， 关注中国制造的成熟制程芯片在美供应情况。2022 年 8 月 15 日，BIS 修改了《出 口管理条例》，对氧化镓、金刚石、GAAFET 结构集成电路设计的 EDA 软件和压 力增益燃烧技术实施出口管制，直接影响中国先进半导体制程工艺的进步。2022 年 10 月 7 日，BIS 推出“1007 规则”，通过修改 ECCN 编码、引入外国直接产品 规则等措施，限制中国获得先进计算集成电路、开发和维护超级计算机以及制造 先进半导体的能力。此后 BIS 先后于 2023 年 10 月 17 日、2024 年 3 月 29 日调整 并澄清《出口管制条例》中半导体相关内容，例如调整先进计算芯片的出口管制 参数以针对英伟达等企业为绕过 1007 规则对华出口 A800 和 H800 特供芯片的行 为等，进一步限制中国购买和制造先进计算芯片的能力。2024 年 9 月 5 日，BIS 发布的临时最终规则进一步收紧对华先进半导体制造技术管制。2024 年 12 月 2 日，BIS 修订出口管制条例加强对半导体设备、零部件和相关耗材的管制，尤其 重新定义存储指标以避免企业通过堆叠 DRAM/HBM 的方式绕开管制，直接限制 中国外部获取和内部制造先进 AI 芯片的能力。在对中国半导体供应链各个环节、相关技术设备和专业人才全流程管控的同时，BIS 于 2024 年 1 月启动对成熟制程 节点的半导体供应链的调查，关注中国制造的成熟制程芯片在美国关键行业供应 链中的使用和采购情况。 2022 年 8 月 15 日，BIS 发布根据美国《出口管制改革法案》第 1758 部分的授权， 通过修改《出口管理条例》中 ECCN 编码的内容，对四项技术施加出口管制措施， 包括：超宽带隙半导体的两种基质——氧化镓（Ga2O3）和金刚石；专门为开发具 有全栅场效应晶体管（GAAFET）结构的集成电路而设计的电子计算机辅助设计 （EDA/ECAD）软件；以及压力增益燃烧技术（PGC）。GAAFET 被认为是批量生 产 3nm 及以下半导体制程工艺的关键技术，限制 GAAFET 技术相关的 EDA 工具 对华出口，将影响中国芯片设计厂商向 3nm 及以下先进制程的突破；氮化镓和碳 化硅是生产复杂微波、毫米波器件或高功率半导体器件的主要材料，有可能制造 出更复杂的或能够承受更高的电压或温度的器件，在未来的大功率、高温、高压 应用场合有广阔的发展前景。
2022 年 10 月 7 日，BIS 发布有关限制中国获得先进计算集成电路、开发和维护超 级计算机以及制造先进半导体的能力的规定（“1007 规则”），在原有基础上修改 了《出口管制条例》，禁止企业向中国供应先进的计算芯片制造设备和其他产品； 为向中国出口 IC 半导体制造“设施”增加了新的许可证要求；中国实体拥有的设 施许可证将面临“拒绝推定”；美国供应商若向中国本土芯片制造商出售尖端生产 设备，生产 18 纳米或以下的 DRAM 芯片、128 层或以上的 NAND 闪存芯片、14 纳米或以下的逻辑芯片，必须申请许可证并将受到严格审查，限制中国大算力、 先进制程半导体芯片及半导体制造和检测设备的发展。
《商品管制清单》（Commerce Control List，CCL）新增特定计算芯片、半导 体制造设备相关物项。BIS 以反恐（AT）和区域稳定（RS）为由，新增 ECCN 3A090（高性能计算芯片）、4A090（包含高性能计算芯片的计算机、电子组 件或元件）、4D090（与开发生产前述计算机、电子组件或元件的专用软件）、 3B090（特定先进半导体制造设备）。
其中，满足数字处理单元/原始计算单元每次操作的比特长度乘以 TOPS 计算 出的算力之和大于或等于 4800 TOPS 且双向传输速率达到 600 GB/s 的芯片 被归入 ECCN 3A090，围绕该等物项归类标准 BIS 也设置了直接产品规则及 针对流片的限制规定，限制中国直接获取并通过自行研发及流片获取该等芯 片的能力。根据 1007 新规，英伟达 A100/H100 系列、AMD MI200/300 系列 AI 芯片无法对华出口。
2023 年 10 月 17 日，BIS 发布了一系列出口管制规则（“1017 规则”），以限制中 国购买和制造先进计算芯片的能力，包括实施额外出口管制：某些先进计算物项、 超级计算机与半导体最终用途；更新和修改《先进计算芯片规则》和《半导体制 造物项出口管制暂行最终规则》（扩大对半导体制造物项的出口管制临时最终规 则）。
《先进计算芯片规则》调整判断先进计算芯片是否受限制的参数，重点关注 综合运算性能（Total Processing Performance，TPP）和性能密度(Performance Density，PD)两个关键指标。新规先进计算半导体芯片认定标准以总处理性 能参数（Total processing performance，TPP）取代此前的“峰值算力+传输速 率”参数（bits×TOPS），即规定 ECCN 3A090、4A090 对受管制高性能计算 芯片的限制由原来的同时满足芯片的 I/O 带宽传输速率大于或等于 600 Gbyte/s 且数字处理单元/原始计算单元每次操作的比特长度乘以 TOPS 计算 出的算力之和大于或等于 4800TOPS，修改为针对最高性能芯片 ECCN 3A090a 要求集成电路中包含一个或多个处理单元达到以下任一标准：a) 综合运算性能达到 4800，或 b) 综合运算性能达到 1600，同时性能密度达到 5.92。针对次高性能芯片 ECCN 3A090b 要求集成电路中包含一个或多个处理 单元达到以下任一标准：a) 综合运算性能达到 2400 但低于 4800，性能密度 达到 1.6 但低于 5.92；b) 综合运算性能达到 1600，性能密度达到 3.2 但低于 5.92。此外，新增 ECCN 3A090.b 以控制略低于 TPP 和 PD 阈值的芯片。 根据 NVIDIA 8-K 文件披露的信息显示，NVIDIA 的部分高性能计算芯片超 过了某些性能阈值（包括但不仅限于 A100、A800、H100、H800、L40、L40S 和 RTX 4090）。任何包含一个或多个涵盖相关芯片的系统（包括但不限于 NVIDIA DGX 和 HGX 系统）都将包含在新的许可要求中。许可要求囊括可 以达到总处理性能和/或性能密度阈值的未来的 NVIDIA 芯片、板卡或属于 ECCN 3A090 或 4A090 分类系统。
《扩大对半导体制造物项的出口管制临时最终规则》在 1007 规则的基础上 额外对特定类型的半导体制造设备实施管制，收紧对旧一代 DUV 机器的控 制；扩大长臂管辖，加强对非原产美国的半导体制造设备的控制。1017 规则 将 1007 规则增设的专门管制半导体制造设备的 ECCN 3B090 删除，将相关 物项加入 3B001 和 3B002 中并进行了一定的细化和扩展。3B001 主要为制造 半导体器件、材料或相关设备的设备，及为其专门设计的部件和配件等， 3B002 主要为测试或检测已完成或未完成的半导体器件而专门设计的测试或 检测设备，及为其专门设计的部件和配件。根据新规，美国有权对达到一定 参数的光刻机等芯片制造设备进行 0%的“最小法则”长臂管辖，即外国公司 出口的设备中，只要是包含美国原产技术和部件的设备，都将受美国管制。
2023 年 12 月 21 日，BIS 宣布将于 2024 年 1 月启动对成熟制程节点的半导体供 应链展开调查，重点关注中国制造的成熟制程芯片在美国关键行业供应链中的使 用和采购情况。 2024 年 3 月 29 日，美国商务部正式发布关于先进计算物项、超级计算机和半导 体制造物项出口管制临时最终规则第三次修订（半导体临时新规）的公众预览版。 对《出口管理条例》中关于半导体相关出口管制内容进行调整和澄清，明确消费 级 AI 芯片（如 RTX4090）性能密度的计算方式和阈值，明确规定对中国出口的 芯片限制也将适用于包含 AI 芯片的笔记本电脑，加强对极紫外线（EUV）掩膜及 其相关软件和技术的管控，对中国澳门等地出口、再出口半导体等行为实施更严 格的许可要求，新规拟于 4 月 4 日生效。 2024 年 9 月 5 日，BIS 发布临时最终规则，升级了对量子计算相关组件和软件、 先进的半导体制造、用于开发超级计算机和其他高端设备的高性能芯片的环绕栅 极场效应晶体管 (GAAFET) 技术、以及用于制造金属或金属合金部件的增材制 造工具的限制。 2024 年 12 月 2 日，BIS 发布《补充外国直接生产规则以及修订先进计算和半导 体制造物项管控措施》，修订出口管制条例，加强对先进计算、超级计算及半导体 制造领域的关进技术和设备的管制。本次新规延续此前对先进晶圆制造工艺、先进 DRAM 制造工艺、EDA 相关工具、AI 芯片的封锁，对 24 种半导体制造设备和 3 种用于开发或生产半导体的软件工具实施新的管制；重新定义存储指标，避免 企业通过堆叠 DRAM/HBM 的方式绕开管制；调整关键监管政策，如制定半导体 制造设备（SME）外国直接产品规则和脚注 5（FN5）外国直接产品规则和相应的 最低限度。
对生产先进节点集成电路所需的半导体制造设备进行新的控制，包括某些刻 蚀、沉积、光刻、离子注入、退火、计量和检查以及清洁工具。对开发或生 产先进节点集成电路的软件工具进行新的控制，包括某些提高先进机器生产 率或使较低端设备生产先进芯片的软件。
加强对高带宽存储器（HBM）制造设备、封装设备和测试设备的管制。新增 规则 3A090c，对 HBM 的管控从限制技术节点变为限制存储单位面积和存储 密度，从而限制堆叠立体封装。即在新的限制规则下，包括符合以下任何标 准的集成电路都将受到限制：（1）使用非平面晶体管架构或具有 16/14 纳米 或更小“生产”“技术节点”的逻辑集成电路；（2）128 层或更多层的 NAND 存储器集成电路；或动态随机存取存储器（DRAM）集成电路，具有：（i） 存 储单元面积小于 0.0019µm²；或（ii）存储器密度大于 0.288Gb/mm²。新规将 限制 HBM2 和 HBM3、HBM3e 等 HBM 芯片以及全球主要 HBM 供应商 SK 海力士、美光和三星相关 HBM 的对华出口。
3.4. 清单制裁：动态调整制裁清单，运用实体清单和 SDN 清单实施“长 臂管辖”
美国政府频繁使用清单制裁，联合美国商务部、联邦通信委员会、财政部和国防 部多部门对华实施贸易管制和金融管制，制裁实体从华为等顶尖企业，逐渐扩大 到大规模科技企业、大学与科研机构。美国对中国半导体制裁清单主要有 7 种， 主要分为贸易管制和金融管制两类，美国商务部、联邦通信委员会、财政部和国 防部联动执法，一方面试图中国企业“断供”半导体产品、设备和技术等物资， 一方面在金融市场上对中国半导体相关企业制造障碍。截止 2024 年 11 月，BIS 维护的出口管制限制性清单实体共 3854 个，其中中国 1012 个，占 26.3%。据 BIS 披露，在 2018 年至 2023 年间，有价值 3350 亿美元的产品通过申请许可证被批准 出口给限制名单上的中国实体，在 2021 年价值 5600 亿美元的许可证申请中，有 价值 2220 亿美元产品的许可证被批准。 出口管制方面，美国商务部工业与安全局（the Bureau of Industry and Security，BIS） 发布的实体制裁清单主要有四类，分别是实体清单（Entity List，EL）、军事最终 用户清单（Military End User List，MEU）、未核实清单（Unverified List，UVL） 和被拒绝人清单（Denied Persons List，DPL）。实体清单是美国运用清单制裁中国 半导体的有利工具，旨在针对可能存在违反美国国家安全或外交政策的行为的实 体加以出口限制。军事最终用户清单进一步加强对所谓“涉军实体”的管制，要 求向清单中实体出口相关特定物项均需申请出口许可证，以限制中国将美国科技 运用于国防力。未核实清单实体在被列入清单后 60 日内若未完成 BIS 最终用途 核查，BIS 将启动程序将其列入实体清单。被拒绝人清单实体将被禁止美国或第 三国企业与被拒绝人开展任何受限于美国出口管制条例等。相关交易进口管制方 面，联邦通信委员会（Federal Communications Commission，FCC）发布不可信供 应商清单，认为其提供对美国国家安全构成威胁的通信设备和服务并予以禁止。 金融管制方面，美国财政部（Office of Foreign Assets Control，OFAC）金融制裁清 单中涉及对华半导体制裁的主要包括 SDN 清单和非 SDN 清单，包括特别指定国 民和人员封锁清单（Specially Designated Nationals And Blocked Persons List Human Readable Lists，SDN）、NS-中国军事企业清单（Non-SDN Communist ChineseMilitary Companies List，NS-CCMC，NS-CCMC）、NS-中国军工符合企业清单（NonSDN Chinese Military-Industrial Complex Companies List，NS-CMIC）。其中 SDN 清 单是美国金融制裁中最核心且严厉的清单，主要措施包括冻结资产、禁止交易等； NS-中国军事企业清单与美国国防部发布的中国军事企业清单（Communist Chinese Military Companies List，CCMC）制裁逻辑基本一致，重点针对中国涉军 企业施行投资禁令；NS-中国军工复合企业清单是 2021 年 6 月对 CMCC 清单的 更新，继续实行原有投资禁令，禁止美国主体交易清单中实体公开交易的证券， 并要求剥离与清单中实体相关的投资。随着法律的更新，美国国防部根据《2021 财年国防授权法》第 1260H 章节发布的中国军事企业清单（Chinese Military Companies, CMC）取代了此前的 CMCC 清单。 实体清单和 SDN 清单是美国实施“长臂管辖”的典型，美国政府通过设置“最低 联系原则”使案件与国家产生关联，从而扩大管辖权，以制裁他国政府、企业和 个人。美国财政部外国资产办公室、美国商务部工业与安全局与美国总统和美国 国会、美国国务院经济制裁政策与实施办公室（SPI）等美国政府部门一起运用体 系庞大的“长臂管辖”机制，对中国等国在出口管制、金融投资等众多领域实施 单边制裁。
3.4.1. 美国商务部：实体清单（Entity List of the US Department of Commerce， EL）
美国频繁以“国家安全”为由，运用实体清单制裁中国及其他地方的个人、企业 或组织，被列入实体清单的中国实体不断攀升。1997 年克林顿政府发布美国第一 份实体清单，当时中国仅有一家实体机构被其制裁。奥巴马执政后，在其“重返 亚洲”的战略下实体清单数量出现较大增长。2016 年 3 月 7 日，BIS 认为中兴“违 反了美国国家安全和外交政策利益”，将中兴通讯及其 3 家关联公司列入“实体清 单”，对中兴公司实行出口限制。实体清单频繁发布、新增中国实体数量增多的趋 势在特朗普第一任期得到进一步强化。2018 年 8 月 1 日，联邦公报公布 BIS 将 44 家中国企业纳入出口管制实体清单实施技术封锁，主要涉及半导体高端技术研发 机构。此后，BIS 先后多次把中国企业和机构纳入实体清单。目前，拜登政府所制 裁的中国实体数量已超越特朗普政府制裁的 309 家，成为美国历届政府之最。 实体清单制裁领域从 5G 和通信领域拓展至人工智能等领域。2019 年之前美国对 华芯片管制重点在 5G 芯片及通信领域，实体清单制裁的主要是中兴通讯、华为及其子公司等通信企业。在特朗普政府于 2019 年 2 月 11 日签署《美国人工智能 倡议》后，美国从国家战略层面重视人工智能发展，对华半导体企业的管制也逐 渐由 5G 芯片扩大到 AI 芯片。2019 年 10 月，国内最大的 AI 独角兽企业商汤科 技被列入实体清单；2022 年 12 月 16 日，寒武纪被列入实体清单；2023 年 10 月 19 日，壁仞科技、摩尔线程及其子公司或关联企业等 AI 企业被列入实体清单。 实体清单近期集中针对大批国内相关前道半导体制造与量测设备公司，同时关注 中国半导体整体产业链。2024 年 12 月 2 日，BIS 将北方华创、拓荆科技、盛美上 海、至纯科技、中科飞测、新凯来、凯世通、华峰测控、北京烁科、华海清科、 芯源微等 140 家中国半导体相关公司列入实体清单，其中有半导体设备制造企业 占 71%，半导体制造企业占 12%，先进电子材料企业占 7%，EDA 软件工具企业 占 5%。国产 EDA 大厂华大九天及其子公司、国产光刻胶厂商南大光电及其子公 司、国产大硅片厂商上海新昇及其子公司、国产功率半导体及 ODM 厂商闻泰科 技、半导体投资机构建广资产和智路资本也被列入其中。
3.4.2. 美国商务部：军事最终用户清单（Military End-User List，MEU）
美国商务部于 2020 年 12 月 23 日将军事最终用户清单（MUE）添加到《出口管 制条例》744 章第 7 补充案，进一步澄清和补充 2020 年 4 月 28 日发布并于 6 月 28 日生效的针对中国、俄罗斯、委内瑞拉三国最终军事用户和最终军事用途管制 规定（“MEU 新规”）。第一批 MEU 清单有 102 个实体，包括中国航空发动机集 团、中国航空工业集团、西安航天发动机有限公司等 57 家中国公司。2021 年 1 月 14 日小米、中微半导体、高云半导体等 9 家企业被列入军方企业清单。 军事最终用户清单实体面临额外许可证的要求。根据 2020 年 12 月 23 日的《出口 管制条例》第 744.21(a)节规定，除贸易管制清单（Commerce Control List，CCL） 所列物项的许可证要求外，MEU 清单实体在获取《出口管制条例》第 744 节附件 2 的物项时，出口商需要申请出口许可证，物项包括材料加工、电子、电信、信息 安全等。但即使不在 MEU 清单上，满足军事最终用户定义的企业也有可能受到 和 MEU 相同的限制。
3.4.3. 美国商务部：被拒绝人清单（Denied Persons List，DPL）及未经核实清单 （Unverified List，UVL）
被拒绝人员清单（DPL）实体不得以任何方式直接或间接，参与涉及从美国出口 或将从美国出口受《出口管制条例》约束的任何商品、软件或技术的任何交易或 受《出口管制条例》约束的任何其他活动（包括 ECCN 物项以及 EAR99 物项） 等。当前被列入 DPL 清单的中国主体较少。 未经核实清单(UVL)是 BIS 无法完成相应的最终用途审核以核实物项的最终用户 和最终用途的合法性和可靠性时而运用的清单。根据《出口管制条例》的规定， 向 UVL 清单实体出口、再出口或者境内转移受到 EAR 管辖的物项、软件或者技 术时需要额外的尽职调查或许可证要求。与被拒绝清单和实体清单的不同之处在 于，除特殊情况外 UVL 清单实体一般在满足一定程序性要求后，还有机会继续业 务。2022 年 2 月 8 日，BIS 将 33 家中国实体列入 UVL 清单，包括 15 家光学电 子企业。目前，UVL 清单实体主要集中在光电技术、计算机和软件信息、半导体 以及汽车、生物医药、激光、机械设备等高新技术领域及行业。
3.4.4. 联邦通信委员会：不可信供应商清单（Unreliable Suppliers List of the Federal Communications Commission，USL）
美国联邦通信委员会（FCC）发布不可信供应商清单（USL），认为其提供对美国 国家安全构成威胁的通信设备和服务并予以禁止。2021 年 3 月 12 日，美国联邦 通信委员会公共安全部和国土安全局以将“这些企业生产的电信设备和服务，会 给美国国家安全和公民安全带来不可接受的风险”为由，将包括华为、中兴通讯、海能达、海康威视和大华科技五家中国公司纳入不可信供应商名单。2022 年 3 月 25 日，美国联邦通信委员会宣布将中国电信美洲公司和中国移动国际（美国）有 限公司列入不可信供应商清单，限制上述企业产品和服务市场准入。2022 年 9 月 20 日，美国联邦通信委员会宣布将中国联通、中国太平洋网络公司及其全资子公 司 ComNet 列入不可信供应商清单。
3.4.5. 美国财政部：特别指定国民和人员封锁清单（Specially Designated Nationals and Blocked Persons List，SDN）
特别指定国民和人员封锁清单（SDN）是美国财政部海外资产管理办公室的所有 制裁清单中制裁范围最广的，基于各个制裁计划对应的法规及美国总统发布的行 政令识别制裁实体并施加制裁，最主要的后果为冻结财产和禁止交易。目前 OFAC 主要仍以 SDN 清单的形式制裁中国实体或个人，截止 2024 年 3 月 24 日，SDN 清单中共存在 799 个中国实体和个人。 SDN 清单实体在与美国实体之间的交易、海外资产转移、外汇结算等方面将面临 限制。除非 OFAC 授权，SDN 清单实体不得与任何美国主体进行任何交易；在美 国境内的或者由美国主体占有或控制的财产和财产权益均被冻结，不得被转让、 支付、出口、支出或以其他方式处理；被 SDN 实体直接或间接持有 50%以上权益 的实体，无论该等实体是否在 SDN 清单中单独列出其名称，均视为被列 SDN 清 单；与 SDN 清单交易的企业（即便不受美国管辖，不是“美国主体”）也存在一并 被列 SDN 清单的风险。 2020 年 11 月 30 日，中国电子进出口总公司被 OFAC 列入 SDN 清单。2024 年 2 月、5 月、6 月 OFAC 进一步更新 SDN 清单，2024 年 8 月 23 日，美国财政部和 国务院在涉俄制裁项目下宣布对约 400 个俄罗斯或第三国的个人和实体列入了 SDN 名单，包括 42 个中国实体。
3.4.6. 美国财政部及国防部：涉军金融管制清单
NS-中国军事企业清单（NS-CCMC）由美国财政部海外资产管理办公室于 2021 年 1 月 8 日首次发布，旨在用于识别受到法定或其他当局被实施制裁（包括《第 13959 号行政命令》的制裁）的主体。随后，拜登政府发布《第 14032 号行政命令》进 一步明确美国所要应对的国家紧急状态，针对 2020 年 11 月 12 日《第 13959 号行 政命令》中对中国涉军企业的证券投资禁令，采取额外证券投资禁令措施。OFAC 发布了新的 NS-中国军工复合企业清单（NS-CMIC），取代了原 NS-CCMC 清单， 59 家中国企业被列入其中。第一批 NS-CMIC 保留了 30 家特朗普政府公布的 NSCCMC 清单实体，并新增航空航天等领域的 29 家企业。 中国军事企业清单（CCMC，1237 清单）根据 2020 年 6 月 12 日发布的《1999 财 年国防授权法》第 1237 条，由美国国防部公布在美经营的与中共军方由关联的中 国公司清单，以突出并应对中国的军民融合发展战略。随后于 2020 年 8 月 28 日、 2020 年 12 月 3 日及 2021 年 1 月 14 日对清单进行了更新，包括中国移动、中国 电信、中国联通等企业在列。美国总统基于第 1237 条的授权，可在 CCMC 清单 实体在美国进行任何商业活动时行使法案赋予的权利和制裁措施。2020 年 11 月 12 日发布并于 2021 年 1 月 13 日修订的《第 13959 号行政命令》，禁止美国主体 购买或出售 CCMC 清单实体的公开交易证券或其衍生证券，或为此类证券提供投 资风险的任何公开交易证券。 2021 年 6 月 3 日，随着法律的更新，美国国防部根据《2021 财年国防授权法》第 1260H 章节发布的中国军事企业清单（CMC，1260H 清单）取代了此前的 CMCC 清单，仍坚持防止我国人民解放军获得先进技术和专业知识，从而实现现代化的目标。2022 年 10 月 5 日及 2024 年 1 月 31 日，CMC 清单都进行了更新。在 2024 年 1 月 31 日的更新中，CMC 清单新增了包括 16 家中国芯片、人工智能公司。截 止 2024 年 2 月，CMC 清单中已经包含了 73 家中国企业，涵盖存储芯片制造商、 人工智能公司、激光雷达制造商等多个行业。2025 年 1 月 6 日，美国国防部将长 江存储、中芯国际等 134 家中国企业列入中国军事企业清单，涉及半导体制造企 业中芯国际、存储企业长江存储、人工智能企业商汤科技、通信企业中移通信等。 基于《2024 财年国防授权法案》第 805 条的要求，自 2026 年 6 月 30 日起，国防 部被禁止与 CMC 清单中实体或其控制的实体签订、续签或延长商品、服务或技 术合同；同时，自 2027 年 6 月 30 日起，国防部被禁止签订、续签或延长含有 CMC 清单实体生产或开发的商品、服务或技术合同。美国政府声明其保留对这些实体 采取额外行动的权利，同时 CMC 清单实体后续也有可能遭受被列入 NS-CMIC 清 单等其他美国政府制裁或管制措施。
3.5. 限制投资：对华投资审查趋严，双向限制中美企业投资
美国政府不断加强对华投资限制，从单向审查发展为双向限制，一方面限制中国 企业受控美国公司控制权的并购交易，另一方面阻止“美国人”对部分中国企业 的投资。特朗普和拜登在执政期间对华投资限制态度保持一致。在 2024 大选期 间，特朗普支持坚持对华实施双向投资限制，曾表示将阻止美国公司在华投资并 阻止中国购买部分美国资产，只允许符合美国利益的投资，并将禁止与任何公司 的联邦合同外包给中国。
3.5.1. 立法扩大外国投资委员会权力，加强对中国企业在美投资审查
美国通过收紧法规政策、扩大美国外国投资委员会（Committee on Foreign Investment in the United States，CFIUS）的审查、处罚和执法力度，尤其在特朗 普第一任期，美国政府加强对外国投资实施安全审查，阻碍中国半导体相关企业 在美正常投资活动。自 2007 年 7 月 26 日布什总统签署的《外商投资和国家安全 法案》以来，美国外国投资委员会的职能从最初的咨询建议扩大到有权以国家安 全为由禁止或中止外资收购美国公司控制权的并购交易，CFIUS 曾阻止紫光集团 收购美光、阻止中国福建宏芯投资基金收购德国半导体设备制造商爱思强(美国分 公司)。自 2018 年后随着 FIRRMA 及其配套规则的陆续发布，CFIUS 权力不断加 强。
2018 年 8 月 13 日，特朗普签署《2019 财年国防授权法案》，其中《外国投资 风险评估现代化法案》（Foreign Investment Risk Review Modernization Act of 2018，FIRRMA）授予外国投资委员会更大审查权，包括扩大交易审查范围、 扩充人员编制、引入“特别关注国”概念、增加考虑审查因素等，还特别要 求美国商务部在 2026 年前每两年提交一份关于中国企业在美投资情况的分 析报告。
2018 年 10 月 10 日，美国财政部发布 FIRRMA 框架下的实施法规性质的“试 验性计划”，以准备 FIRRMA 部分尚未生效条款的实施，对外国投资于美国 某些具体产业和技术做出更严格和具体的限制，于 2018 年 11 月 10 日起施 行。
2020 年 1 月 13 日，美国财政部颁布两项 CFIUS 最终规则，以全面实施 FIRRMA，详细规定受 CFIUS 管辖的具体交易范围及使用规则。CFIUS 最终 规则于 2020 年 2 月 13 日生效。
2024 年 11 月 18 日，美国财政部发布一项最终规则以更新 FIRRMA，加强 CFIUS 的审查程序，强化处罚和执法权力。
3.5.2. 持续推动对外投资审查立法，推进对“美国人”向中企投资审查机制落地
拜登执政时期，美国投资审查从审查单向投资限制转向双向投资限制，增加对“美 国人”对中国等特定国家的投资审查，持续推进对外投资审查立法。美国国会陆 续提出《2023 年综合拨款法》、《2023 年国家关键能力防御法》以及《2024 财政年 度国防授权法案》等法案以推动形成美国对中国等特定国家投资审查的法律依据， 财政部基于拜登总统行政令将相关投资限制机制落地。这些措施使得中美半导体 企业之间的投资合作面临更多不确定性，阻碍了双方在技术研发、产业升级等方 面的合作机会，对中美半导体产业的协同发展造成了负面影响。
2021 年 6 月 3 日，拜登签署第 14032 号行政令，以扩大第 13959 号行政命令 中宣布的国家紧急状态的范围，进一步对“中国涉军企业”采取额外证券投 资禁令措施。
2023 年 5 月 9 日，美国众议院议员提出《2023 年国家关键能力防御法》草 案，进一步修订此前 2021 年及 2022 年草案，要求建立国家关键能力委员会 （Committee on National Critical Capabilities，CNCC）作为美国境外投资审查 的监管机构，对于美国主体从事涉及中国等限制国家及半导体制造及先进封 装、人工智能、量子信息科技等国家关键能力领域的股权及债权投资、新设 子公司及合资企业、合作研发、经营合作等商业活动进行监管。
3.6. 产业联盟：拜登政府“多面合围”，维护美国半导体供应链和价值链 地位
拜登政府摒弃特朗普政府主张的“单边约束”，开始构建多个联盟展开合围，从供 应链和价值链维护美国半导体地位。特朗普第一任期主张“美国优先”“单边约束”， 成立的半导体产业联盟较少，典型联盟行动如 2020 年 2 月 24 日美国、日本等 42 个加入《瓦森纳协定》的国家共同决定扩大出口管制范围，管制包括半导体基板 制造技术等物项，防止相关半导体技术外流到中国及朝鲜等国。拜登上台后，半 导体产业联盟数量明显增加，自 2022 年 4 月美国积极构建“芯片四方联盟”以 来，美国组建供应链联盟、价值链联盟和综合联盟等多种类型的联盟，阻挠中国 参与全球半导体产业链分工，加强美国技术垄断。
3.6.1. 构建美国主导的半导体供应链，试图将中国排除在国际半导体供应链之外
拜登政府通过利用处在供应链中下游的国家和地区的比较优势，构建其主导的半 导体供应链，并试图将中国排除在国际半导体供应链之外。
2021 年 9 月 24 日，美国、日本、澳大利亚和印度四边安全对话机制（The Quadrilateral Security Dialogue，QUAD）举行首次面对面峰会，增强包括半导 体在内的关键技术和材料的供应链韧性。QUAD 综合利用美国在芯片设计领 域、日本在芯片制造材料和化学品、澳大利亚在丰富关键材料和先进采矿能 力、印度人力资本等互补优势，减少供应链依赖。
2022 年 5 月 23 日，美国和日本宣布启动印太经济框架（Indo-Pacific Economic Framework for Prosperity，IPEF），包括美国、日本、澳大利亚、印度等 13 个 初始成员，旨在加强美国与印太地区的经济合作，确保芯片关键原材料和加 工材料的攻击，稳定芯片供应链。
2022 年 6 月，矿产安全伙伴关系（Minerals Security Partnership，MSP）正式 成立，包括美国、澳大利亚、日本、韩国等成员，美国通过与拥有关键矿产 的澳大利亚、加拿大等盟友合作，加强构建美国主导的关键矿产供应链。
3.6.2. 与价值链中上游国家地区合作，联合限制中国先进半导体技术发展
拜登政府通过和处在价值链中上游的国家和地区开展技术合作，可以加快美国半 导体技术的更新迭代，同时也联合盟友跟进对华出口管制措施。
2021 年 6 月，美国和欧盟成立贸易和技术委员会（Trade and Technology Council，TTC)，加强在信息通信技术、人工智能技术和清洁技术等领域的技 术合作，和在半导体信息透明等方面的标准联合，同时联合应对所谓来自中 国的“经济胁迫”。在首次部长级会议的联合声明中，双方决定下设十个工作 组，其中包括为应对中国挑战设立的出口管制合作工作组、投资审查合作工 作组等。
2022 年 4 月，美国政府提议联合韩、日本和中国台湾地区组建“芯片四方联 盟”（CHIP4），旨在逐步转移亚洲芯片产业和技术，增强美国对全球芯片产 业链的掌控力，联合盟友对华实施更严格的出口管制。
2023 年 1 月 27 日，美国与日本、荷兰达成协议，在芯片领域结成“强大联 盟”，限制中国获得先进半导体制造设备。2023 年 6 月 21 日，日本经济产业 省与荷兰经济事物和气候政策部联合签署《半导体领域合作备忘录》，协议内 容包括日荷两国将在半导体等领域开展全面合作、将就半导体出口、国际合 作等事项开展情报共享等。
2023 年 1 月 31 日，美印关键和新兴技术倡议（iCET）首届会议召开，会后 美国政府发表声明称“美印两国将加强在半导体供应链方面的双边合作”。 2024 年 9 月 21 日，美国白宫发布《美国和印度继续扩大全面和全球战略伙 伴关系》声明，肯定 iCET 在深化和扩大关键技术领域战略合作方面取得的 成果，包括太空、半导体和先进电信。美国总统拜登与印度总理莫迪承诺将 加强在人工智能、量子、生物技术和清洁能源等领域的合作；强调加强合作 伙伴合作，包括四方安全对话（QUAD）和美国-印度-韩国三边技术倡议，以 建设更多为关键行业提供安全和有弹性的供应链；指示两国加倍努力解决出 口管制问题，加强高科技贸易等。
3.6.3. 联合日荷等盟友协调出口管制规则，推动对华半导体出口管制往多边发展
在美国积极构建产业联盟的背景下，日本、荷兰等国在美国的压力下更新本国出 口管制条例，对中国先进半导体产业发展加以限制，美国对华半导体产业的出口 管制呈现多边趋势。
2024 年 8 月 30 日，荷兰首相迪克·肖夫接受采访时回应美国施压荷兰政府 限制 ASML 停止对在华高端 DUV 设备进行维护的消息，称将考虑 ASML 经 济利益后决定是否收紧对其芯片制造设备对华出口的规定。
2024 年 9 月 6 日，荷兰政府发布两款浸没式 DUV（深紫外光）光刻机出口 的最新许可要求，根据新规和美国出口管理条例 734.4.(a).(3)，ASML 后续需 要向荷兰政府而非美国政府申请出口许可，才能出货其 TWINSCAN NXT:1970i 和 1980i DUV 浸没式光刻系统。
2024 年 9 月 10 日，美国商务部负责工业和安全事务的副部长埃斯特维兹在 “2024 年韩美经济安全会议”上，要求其配合美方对华出口管制，呼吁韩国 芯片制造商向韩国盟国而非中国等国供应 HBM 芯片。
4. 强己：从“大棒”到“胡萝卜加大棒”扶持本土半导体产 业，《芯片法案》顺利落地充满不确定性
从特朗普第一任期到拜登执政期间，美国政府对美国本土半导体产业的资金支持 力度明显扩大。特朗普主张弱化政府对科技创新的干预，对华半导体制裁措施以 外部抑制政策为主。拜登政府则实行“胡萝卜加大棒”政策组合，在对外实施严 厉制裁的同时，关注美国本土半导体产业的发展，签署《芯片与科技法案》吸引 半导体产业回流，增强美国半导体产业实力。但《芯片与科技法案》在实施过程 中面临诸多挑战，特朗普在竞选时对《芯片法案》提出质疑，《芯片法案》未来走向充满不确定性。
4.1. 特朗普第一任期主张弱化政府干预，国会通过相关法案为《芯片法 案》诞生奠定基础
特朗普在第一任期对政府干预科技创新的态度相对保守，主张弱化政府在该领域 的直接作用，但国会认识到半导体产业对国家经济和科技竞争力的重要性，积极 推动相关法案的通过，为后续《芯片法案》的出台奠定了一定基础。特朗普第一 任期主张弱化政府对科技创新的干预，虽在 2020 财年开始明确将人工智能、量子 信息科学、先进网络通信、先进制造业列为联邦研发投入的优先方向，但总体上 特朗普政府提议大幅削减联邦研发预算，从 2018 年的 1512 亿美元减少至 2021 年 的 1422 亿美元。然而，美国国会最终通过的预算往往高于特朗普政府提议的预算 请求，增加了用于基础研究、应用研究和开发的支出。2020 年 6 月 10 日和 11 日， 美国参议院和众议院先后通过《为美国生产半导体创造有益的激励措施法案》，法 案包含支持美国本土半导体制造和研发的激励机制。2021 年 1 月 1 日，美国国会 《2021 年国防授权法案》生效，涉及《为美国生产半导体创造有益的激励措施法 案》的内容，授权为与半导体制造、组装、测试、先进封装或先进研发有关设施 的建设或现代化提供数十亿美元的财政支持，授权进行微电子相关的研发，开发 “安全可证明的”微电子供应链，建立国家半导体研究技术中心以帮助新技术进入 工业设施，并建立委员会以制定增加先进能力的战略，批准量子计算和人工智能 计划等。尽管特朗普政府整体上主张弱化干预，但国会的行动为后续更为全面和 深入的产业支持政策奠定了基石，预示着美国半导体产业政策在不同政治力量的 博弈下逐渐调整方向。
4.2. 拜登政府重视财政补贴，培育美国半导体产业自身实力
拜登政府上台后，高度重视对本国半导体领域的投资，通过一系列立法和补贴、 减税等政策措施，吸引半导体产业链回流，培育美国半导体产业的自身实力。2021 年 4 月 12 日，拜登召集福特、英特尔、三星等 19 家相关大型企业负责人召开半 导体大会，提出在芯片产业投入 500 亿美元以重振美国芯片制造。2021 年 5 月 12 日，美国参议院通过《无尽前沿法案》，为后续半导体相关法案提供母本，后经参 众两院多轮酝酿、争论和协商，拜登政府最终于 2022 年 8 月 9 日正式签署《2022 年芯片与科学法案》（即“芯片法案”），以资金补贴和税收抵免等优惠政策吸引并 扶持相关半导体企业到美投资。
2021 年 5 月 12 日，美国参议院通过《无尽前沿法案》，提出要巩固美国在关 键科技领域的领导地位，集中发展人工智能与机器学习，高性能计算、半导 体和先进计算机硬件，量子计算和信息系统，先进通信技技术等十大核心领 域，拟在 5 年内为美国基础和先进技术研究提供超过 1000 亿美元的资金支 持。
4.3. 《芯片法案》实际效果不及预期，特朗普第二任期后续补贴存在变 数
尽管拜登政府对《芯片法案》寄予厚望，试图通过大规模的财政补贴和政策支持 推动美国半导体产业的快速发展，但其实际效果不及预期，多个项目遭推迟或暂 停。英国《金融时报》2024 年 8 月 12 日调查结果显示，美国《通胀削减法案》、 《芯片和科学法案》实施以来价值过亿美元的大型项目共 114 个，总投资 2279 亿 美元，其中总投资约 840 亿美元的项目被推迟两个月至数年不等，甚至被无限期 暂停，占大型项目总数的 80%，涉及美国半导体制造商 Pallidus、美国半导体企业 Integra、台积电等项目。 特朗普在 2024 美国总统大选时对《芯片法案》提出质疑，仍坚持第一任期高关税 低补贴的政策思路，这或将延缓《芯片法案》后续补贴发放进度。特朗普在 2024 年 10 月 25 日接受 Joe Rogan Podcast 采访时称，《芯片法案》浪费了数十亿美元用 于吸引外国公司在美国建立芯片公司，主张应利用关税而不是补贴来说服台积电 等公司在美国本土建设和扩大芯片制造设施。特朗普这一观点与其在第一任期内 的政策主张相符，即：强调高关税政策，对政府补贴持谨慎态度。如果特朗普在 未来执政期间坚持这一立场，《芯片法案》后续补贴发放可能会受到影响，已经规 划和在建的项目可能面临资金短缺或政策调整的风险，美国半导体产业的发展战 略可能会发生重大转变，这将给美国乃至全球半导体产业格局带来新的变数。
5. 中国对策：政企协同发力，产业突围自主前行
中国政府与企业协同发力，加快突破半导体产业国产化进程。政府制定一系列发 展规划，明确产业发展战略；多部门协同联动，出台涵盖财税、投融资、人才等 多方面的扶持政策，设立国家集成电路产业投资基金，从资金与政策环境等多维 度为半导体产业发展提供支持。中国企业展现强大韧性与创新精神，扩张成熟制 程产能、提升产业整体产能水平；大力加强本土研发、降低外部依赖、推动技术 突破；拓展国际市场、寻求中外合作新机遇。
5.1. 国家政策领航：多元施政赋能半导体，政府基金助力产业新征程
近年来我国政府高度重视半导体产业的发展，陆续出台多项支持政策，持续优化 半导体产业发展环境。国家多次对集成电路产业提出发展规划与战略指导，多部 门从财税、投融资等八个方面协同发力，设立国家集成电路产业投资基金为半导 体全产业链注入资金动力。
国家多次发布重要规划与战略指导，为半导体产业锚定发展方向。《国家集成电路 产业发展推进纲要》强调加快推进集成电路产业发展的重大战略意义，明确着力 发展集成电路设计业、加速发展集成电路制造业、提升先进封装测试业发展水平、 突破集成电路关键装备和材料四大任务；《中国制造 2025》将推动集成电路及专 用装备发展作为重点突破口；《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》将集成 电路纳入战略性新兴产业重点产品和服务指导目录，提出提升关键芯片设计水平， 发展面向新应用的芯片。进入“十四五”时期，相关规划继续聚焦集成电路等前 沿领域，《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和 2035 年远景 目标纲要》实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目，涵盖集成电路设 计工具、先进工艺等关键技术研发，为产业发展注入强大动力。 各部门协同出台多领域政策，全方位促进集成电路产业高质量发展。2020 年 8 月 4 日，国务院印发《关于新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政 策》，制定出台财税、投融资、研究开发、进出口、人才、知识产权、市场应用、 国际合作等八个方面政策措施。《若干政策》进一步创新体制机制，鼓励集成电路 产业和软件产业发展，大力培育集成电路领域和软件领域企业。加强集成电路和 软件专业建设，加快推进集成电路一级学科设置，支持产教融合发展。严格落实 知识产权保护制度，加大集成电路和软件知识产权侵权违法行为惩治力度。推动 产业集聚发展，规范产业市场秩序，积极开展国际合作。明确凡在中国境内设立 的集成电路企业和软件企业，不分所有制性质，均可按规定享受相关政策。鼓励 和倡导集成电路产业和软件产业全球合作，积极为各类市场主体在华投资兴业营 造市场化、法治化、国际化的营商环境。
国家集成电路产业投资基金（“国家大基金”）为半导体全产业链提供直接资金支 持。2014 年 6 月 24 日，国务院印发《国家集成电路产业发展推进纲要》，明确指 出要设立国家产业投资基金，主要吸引大型企业、金融机构以及社会资金，采取 市场化运作，重点支持集成电路等产业发展，促进工业转型升级，支持设立地方 性集成电路产业投资基金。
国家大基金一期于 2014 年 9 月正式设立，于 2018 年 5 月完成投资，总计投 资项目达到 70 余个，公开投资公司 20 多家。国家大基金一期实行市场化、 专业化运作，重点投资集成电路芯片制造业，兼顾芯片设计、封装测试、设 备和材料等产业，一期资金在制造领域的占比为 67%，而设备材料的合计 占比仅有 6%。资金集中于产业龙头，制造的前四企业（长江存储、上海华 力、华虹宏力、中芯国际）的合计占比达 66%，设备的前三（北方华创、 中微公司、景嘉微）的合计占比为 76%，且大基金都处在靠前的核心股东 位置。
国家大基金二期于 2019 年 10 月成立，国家大基金二期的投资方向相对于大 基金一期更加多元化，更加关注设备、材料等上游产业链，主要聚焦集成电 路产业链布局，投资方向涵盖晶圆制造、集成电路设计工具、芯片设计、封 装测试等多个产业链环节。投资项目包括中芯国际、华虹半导体、睿力集 成、华天科技、通富微电等制造和封测公司；紫光展锐、格科微、思特威、智芯微、翱捷科技、合见工软等芯片公司；北方华创、中微公司、沪硅产业 等设备和材料公司。
2024 年 5 月，国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司（“国家大基金 三期”）成立，注册资本 3440 亿元，由财政部、国开金融有限责任公司、上 海国盛（集团）有限公司、中国建设银行股份有限公司、中国银行股份有限 公司、中国工商银行股份有限公司、中国农业银行股份有限公、交通银行股 份有限公司等 19 位股东共同持股。国家大基金三期经营范围为私募股权投 资基金管理、创业投资基金管理服务，以私募基金从事股权投资、投资管理、 资产管理等活动，企业管理咨询等，旨在引导社会资本加大对集成电路产业 的多渠道融资支持，重点投向集成电路全产业链。
5.2. 中国企业应对：多元布局协同共进，华为破局引领突围
面对美国对华半导体制裁，中国半导体企业多维度布局，华为在重重制裁下走出 自主创新与合作突围之路。中国半导体企业在供应链上多元拓展，国际寻源与国 内研发并举，减少对单一供应链依赖；部分资金转向成熟制程，成熟制程产能扩 张；中国半导体企业主动融入国际市场，海外营收可观且积极并购海外资产，意 法半导体等外企来华寻求合作机会；A 股半导体企业普遍加大研发投入，推动技 术创新。华为应对策略为中国半导体企业提供范例与信心支撑，其利用临时许可 期限囤货寻源；持续重注研发，海思自研芯片不断迭代，麒麟系列突破封锁；深 化国内产业链合作，哈勃投资助力半导体企业成长，推动供应链国产化进程加速。
5.2.1. 企业策略概述：成熟制程扩能与国际合作共进，研发加码供应链多元减少依 赖
中国半导体企业多元化原材料和设备供应链，降低对单一供应源的依赖，保障产 业稳定发展。一方面中国半导体企业在国际市场寻求更多设备供应渠道，加强与 全球供应商的合作；另一方面持续加大国产原材料和设备等的研发力度，提升自 给率。例如，国内硅片生产企业沪硅产业、半导体设备企业中微公司等产品市场 占有率稳步提高，陆续取得技术突破，为国内半导体企业提供了更多的选择，推 动产业向高端制程迈进。 中国半导体企业将部分资金转向成熟制程，积极扩张成熟制程产能，满足国内市 场需求。目前中国半导体产能扩张主要集中在 12 英寸晶圆厂，中国大陆已建或在 建晶圆厂仍以成熟制程为主。据 TrendForce 统计，中国成熟制程芯片产能全球占 比逐渐攀升，2023 年已占全球 29%，预计到 2027 年将增长至 33%。近年来国内 主要晶圆代工厂成熟制程产能集中释放，成熟制程产能利用率明显高于其他地区 厂商。自 2021 年以来，中芯国际和华虹月产能保持连续三年增长态势，2024 年 第三季度中芯国际产能利用率达 90.4%，环比和同比明显增长；华虹产能达 105.3%， 其中 8 英寸产能利用率为 113.0%，12 英寸产能利用率为 98.5%。成熟制程在国内 拥有广泛市场基础，成为企业稳定发展的重要支撑。
5.2.2. 华为困境突围：探索供应链多元替代路径，深耕芯片自研与产业链投资
华为作为行业领先企业，在应对美国制裁过程中展现出了强大的韧性和创新能力， 为中国半导体企业提供了宝贵经验。 面对美国层层制裁，华为加速累积库存或寻找替代供应商。特朗普政府 2018 年开 始启动对华为采取制裁，美国商务部于 2019 年 5 月 16 日宣布将华为及其关联公 司列入实体清单，并于 2019 年 5 月 22 日宣布向华为发放 90 天的临时许可，此后 又数次延长华为临时许可到期日，美国出口商可凭借临时许可与华为进行有限交 易。华为利用 27 个月的窗口期累积库存或寻找替代供应商。2019 年 9 月 26 日， 华为表示已经开始生产不含美国零部件的 5G 基站，将于 2020 年开始扩大量产。 华为加强自主研发和技术创新，提高芯片自给率。2023 年华为年度报告显示，2023 年华为投入达 1647 亿元人民币，占全年收入的 23.4%，十年累计投入的研发费用 超 11100 亿元。同时，华为提前布局专注于半导体与期间设计的全资子公司海思 半导体，自主研发芯片，陆续推出麒麟系列等，不断迭代升级。2023 年 8 月 29日，华为推出搭载麒麟 9000S 处理器的 Mate60 Pro，继被美国制裁后时隔三年再 次采用麒麟旗舰芯片。TechInsights 报告显示麒麟 9000S 芯片采用“先进的 7nm 芯 片技术”，标志 5G 智能手机先进 5G 芯片实现重要突破。2024 年 11 月 26 日华为 发布 Mate70 系列，华为常务董事、终端 BG 董事长余承东明确表示该系列搭载的 麒麟 9020 芯片已实现完全国产。 华为密切与国内半导体企业合作，加速供应链国产化，积极投资半导体产业链企 业。华为旗下的哈勃投资专注对国内半导体产业链投资，涉及芯片设计、制造设 备、材料等领域诸多企业，其中所投的思瑞浦、灿勤科技、东芯半导体、天岳先 进等十余家企业已上市。
6. 国产替代现状：细分市场规模增长显著，部分领域国产 替代仍任重道远
目前国产替代已成为半导体行业发展的关键趋势，随着国内市场需求的持续增长 以及外部环境的复杂多变，半导体产业的国产替代在多个细分市场取得了显著进 展，但在部分关键领域仍面临诸多挑战，亟待突破。半导体 IP 市场规模虽扩张迅 猛，但国际巨头主导格局未变，国内企业份额低，国产化任务艰巨。EDA 市场规 模小且由海外厂商把控，国产企业仅在特定领域初显竞争力。半导体材料市场规 模可观，硅片等有国产化突破，电子特气、掩模版、高端光刻胶等领域技术与海 外有技术差距。半导体设备市场规模增长显著，国产化率稳步上升，在部分细分 领域成果突出，但中高端制程能力有待提升，各领域全面国产替代之路仍任重道 远。 我国目前在集成电路领域存在着较为显著的进出口贸易逆差。海关总署数据显示， 2023 年我国集成电路进口总额 3502 亿美元，尽管同比有所下降，降幅为 15.7%， 但进口规模依旧庞大；出口金额总额 1364 亿美元，同样呈现下降趋势，同比下降 11.4%；贸易逆差达 2138 亿美元，较之前也有一定程度的改善，同比下降 18.3%。 从近五年数据来看，进口总额累计达 18539 亿美元，出口总额 6623 亿美元，贸易 逆差达 11916 亿美元，反映出我国在集成电路领域对进口产品的依赖程度较高。
中国半导体全产业链正在加速推进国产化。根据 TechInsights 统计，中国半导体市 场自给率从2018年的15.9%上升至2023年的23.3%，预计2027年将上升至26.6%， 国产半导体产品在国内市场的竞争力不断增强。分领域细分来看：
（一）中国半导体材料市场规模可观，半导体硅片等部分领域实现国产化突破， 但电子特气、掩模版、高端光刻胶等与海外头部厂商存在技术差距。SEMI 数据显 示，2012-2022 年期间我国半导体材料市场规模波动增长。2023 年全球半导体材 料市场销售金额为 667 亿美元，同比下滑 8.2%，而中国大陆是 2023 年全球第二 大半导体材料市场和唯一增长市场，市场规模达 130.85 亿美元，同比增长 0.9%， 表明中国半导体材料市场在全球市场中的地位日益重要，且具有较强的发展韧性。 目前国内生产半导体材料的上市公司业务范畴覆盖半导体制造的前端晶圆制造材 料以及后端封装材料领域，以沪硅产业、中环股份、南大光电、华特气体为代表， 头部企业规模效应初显，但大部分半导体材料上市公司规模相对偏小。
（二）中国半导体设备市场规模持续扩大且增长显著，我国半导体设备国产化率 稳步上升，在多个细分领域已有所布局且取得不同程度成果，但在中高端制程的 能力仍有很大提升空间。根据芯谋研究统计，中国半导体设备市场规模从 2020 年 的 168 亿美元增长到 2023 年的 342 亿美元，预计 2024 年将达到 375 亿美元左右。 国产半导体设备在规模快速扩张的同时，不断提升生产能力。2020-2023 年中国半 导体设备国产化率逐年上升，芯谋研究预测 2024 年国产化率将达 13.6%，国产设 备企业在国内市场的竞争力不断提升。国内部分头部半导体设备企业新签订单态 势积极，2024 年上半年，中微公司新签订单达 41 亿元，同比增长 40%，等离子 体刻蚀设备在国内主要客户产线上的市占率大幅提高；盛美上海三维堆叠电镀设 备实现量产并获批量重复订单，自研橡胶环密封专利技术已取得国内头部先进封 装客户订单，针对 Chiplet 助焊剂清洗的负压清洗设备取得多台订单。 在半导体设备细分领域，国内企业在去胶、清洗、刻蚀设备领域表现突出，广东 省半导体行业协会数据显示去胶设备国产化率已超 80%，清洗设备国产化率达到 50% - 60%，刻蚀设备国产化率为 55% - 65%；在 CMP、热处理、薄膜沉积设备上 有一定突破；量测、涂胶显影、光刻、离子注入等半导体设备细分领域企业技术 掌控水平普遍相对较低。整体来看，国产半导体设备在中高制程的能力仍有很大 提升空间。SEMI 数据显示，中国半导体设备厂商在 28nm 及以上制程国产化率达 80%以上，14nm 工艺国产化率约 20%以上，14nm 以下制程国产化率仅 10%左右， 先进制程半导体制造过程中国产设备仍无法完全满足国内企业需求，对进口设备 存在较高依赖。
（三）中国半导体 IP 市场规模扩张迅猛，国际巨头主导格局稳固，半导体 IP 国 产化任重道远。中商产业研究院数据显示，2023 年中国半导体 IP 市场规模约为 142.8 亿元，年均复合增长率达 21.14%，国内半导体 IP 市场具有巨大发展潜力。 然而，根据 IPnest，ARM、Synopsys、Cadence 国际半导体 IP 龙头企业行业地位 依旧稳固，芯原股份、力旺电子等国内厂商在 2023 年全球市场占有率分别为 1.5% 和 1.4%，位列第 7、9 位，与海外龙头企业差距依旧明显，半导体 IP 国产化任务 依然艰巨，需要持续加大研发投入，提升技术创新能力，以打破国际巨头的垄断 局面。
（四）中国 EDA 市场规模较小但增长迅速，仍由海外厂商主导，国产企业技术 在特定领域初显竞争力。根据中国半导体行业协会预测，2025 年我国 EDA 市场 规模将达到 184.9 亿元，2020-2025 年年均复合增速为 14.71%，展现出良好发展 前景。然而，EDA 软件行业壁垒较高，市场集中度较高，海外厂商占据国内 EDA 市场大部分份额。目前，国内企业以华大九天、概伦电子、广立微、芯华章等为 代表，在部分领域已具有一定国际竞争力。2022 年，华大电子、概伦电子、广立 微中国半导体 EDA 市场占有率分别位列第 4、7、8 位。华大九天模拟全流程整体 可支持 28nm 及以上制程，其中电路仿真工具可支持 5nm 制程，晶体管级电源完 整性分析工具可支持 14nm 制程。概伦电子 EDA 技术最先进制程可达 3nm，但尚 无法实现 EDA 完全自主可控。
（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）